檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="氮化氧鈦" and ckeyword.raw="銅"
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本研究目的在開發高阻值(≧3 kΩ)以及低TCR值(±25 ppm/℃)之薄膜電阻元件。實驗材料系統可分為氮化鉭(TaN)、共濺鍍氮化鉭與銅複合膜(TaN/Cu)以及氮化氧鈦(TiNO),三種材料系…