檢索結果:共9筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="奈米線" and ckeyword.raw="陽極氧化鋁"
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本研究是將銻化銦 (InSb) 塊材利用陽極氧化鋁 (AAO) 模板輔助真空壓鑄法製備一維結構奈米線,再將單根奈米線製備成熱電量測元件,以量測其熱電性質。使用陽極氧化鋁奈米模板作為鑄造模具,將預先熔…
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本研究將Cu-Ge二元過共晶合金利用陽極氧化鋁(AAO)輔助模板真空液壓鑄造法,可以獲得Cu3Ge/Ge兩種材料順序相接且界面清晰的Cu-Ge合金奈米線異質結構。第一步使用高純度鋁片(99.999%…
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本研究探討不同氧化條件對於鉍金屬奈米線應用於光觸媒反應之表現。研究中的鉍奈米線是以陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide, AAO)作為模板,利用其輔助真空壓鑄法製備而成,接著進行氧…
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本研究是將銻化銦塊材利用陽極氧化鋁模板(AAO)輔助真空液壓鑄造法製作一維結構奈米線,獲得奈米線與共聚物混和,應用於製備成有機場效電晶體(OFET)記憶體電荷儲存層。主要探討二個方向:(1)銻化銦塊…
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本研究利用陽極處理所得之陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide, AAO)作為模板,以真空壓鑄之方法製備鉛奈米線陣列,接著透過硫化處理獲得硫化鉛奈米線。利用不同種類之電解液包含硫酸、…
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本研究是將硒碲化鉍塊材利用陽極氧化鋁模板(AAO)輔助真空壓鑄法製作一維結構奈米線,再將單根奈米線製備成熱電量測元件,以量測其熱電性質。使用陽極氧化鋁奈米模板(平均孔徑110nm及260nm)作為鑄…
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在本實驗中,探討成分對於鑄造銻化銦奈米線之熱電性能之影響。研究中以III-V族半導體之銻化銦 (InSb)作為材料的選擇,因銻化銦 (InSb)在III-V族半導體中,具有極小的能隙以及較高的電子遷…
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本研究探討Al0.3In0.7Sb三元系統與InSb-In異質結構奈米線兩部份。首先,兩種奈米線的合成方法皆是通過使用真空液壓鑄造的方式來製備,鑄造用的前驅材料Al0.3In0.7Sb及InSb-I…
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