檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="化學機械拋光後清洗製程" and ckeyword.raw="抑制劑"
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晶圓經過化學機械拋光(CMP)製程後,晶圓表面通常殘留大量拋光液中之磨料、金屬離子及其他污染物,若無有效去除CMP製程後之殘留污染物以及拋光所產生之表面損傷,則將影響後續薄膜沈積、微影等製程之良率,…