檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cdept.raw="機械工程系" and ckeyword.raw="終點偵測"
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下,使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求,因此在製程終點控制面臨重大挑…
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本研究旨在利用馬達扭矩量測系統於拋光製程中監測機台的扭矩訊號變化,以確保圖案化晶圓能夠更準確地停止於製程終點,最後建立一套適用於矽導微孔化學機械拋光(Trench Silicon via chemi…