檢索結果：共6筆資料 檢索策略： cdept.raw="材料科學與工程系" and ckeyword.raw="電阻式記憶體"
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極，以取代昂貴之白金(Pt)作為電極，並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy，製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…
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本研究以二硫化釕（Ruthenium disulfide, RuS2）薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Ti/RuS2/Ru和Ni/RuS2/Ru元件並比較其電性、切換機構與傳導機制等方面之差異。…
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本研究首先透過水熱法合成出氫氧碳酸鈰(Ce(OH)CO3)微米片，在不同氣氛下進行退火以及還原處理可得到長寬達數微米，厚度約200奈米的二氧化鈰(CeO2)微米片。此微米片的厚度太厚，影響後續的電性…
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層，以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層，上電極皆以Al濺鍍，製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
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本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
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本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極，氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層，利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上，並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…