檢索結果：共6筆資料 檢索策略： cdept.raw="材料科學與工程系" and ckeyword.raw="陽極氧化鋁"
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本實驗成功製備奈米粒子（Ag或Au奈米顆粒）陣列於表面增強拉曼散射（SERS）基板，並增強待測物分子之表面電漿共振與拉曼信號。在本文中，三明治SERS平台由金/石墨烯奈米片與鋁基板生成多孔陽極氧化鋁…
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本論文材料有三種，分別是Ge-Sn異質結構奈米線， Ge-Sb異質結構奈米線和GeSe2奈米材料，進行生長及元件的製程並探討對應電性表現。 第一部分為Ge-Sn異質結構奈米線，使用AAO並以壓力鑄造…
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提升UVC-LED 之發光強度方法主要有改善磊晶品質，包含p-GaN層之接觸電極改善，但改善p-GaN之磊晶有其困難度，提升成效有限。因此本實驗決定從藍寶石基板端做處理，利用陽極氧化鋁蝕刻遮罩，再以…
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石墨烯具有優異導電性、熱傳導性與機械化學穩定性，近幾年已被廣泛運用於發光二極體中改善元件性能。如:石墨烯界面層可使用來降低元件內部插排缺陷密度，然而，石墨烯光穿透率隨其層數增加而下降，導入石墨烯將使…
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本研究探討Al0.3In0.7Sb三元系統與InSb-In異質結構奈米線兩部份。首先，兩種奈米線的合成方法皆是通過使用真空液壓鑄造的方式來製備，鑄造用的前驅材料Al0.3In0.7Sb及InSb-I…
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