檢索結果:共3筆資料 檢索策略: cdept.raw="光電工程研究所" and ckeyword.raw="氧化銦鎵鋅"
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金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構,以防止TFT-LCD的背光源照射到通道層材料進而影響其電特性。另外在此下閘極結構中,因為要考慮到光罩間對位的誤差,而將其汲極和源極設計成與閘極各有…
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本研究以簡單與低成本的製程技術製備高效能的氫氣感測元件,內文將分為三個部分。第一部分探討氧化銦鎵鋅與超奈米鑽石之氫氣感測及物性分析,接著再探討氧化銦鎵鋅與超奈米鑽石(IGZO/N-UNCD)複合結構…
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本論文分為二部分,第一部分探討不同成長時間的摻氮的超奈米鑽石(N-UNCD)和氧化鋅及氧化銦鎵鋅複合奈米柱/管之氫氣感測器,並進行物性及電性之分析;第二部分探討不同成長時間的摻氬的超奈米鑽石(Ar-…