檢索結果：共8筆資料 檢索策略： cadvisor.raw="周賢鎧" and ckeyword.raw="石墨烯"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
石墨烯僅有原子級的厚度且不佔有體積，比表面能相當高，屬於半導體材料及具有極高的載子遷移率，氣體吸附的電荷轉移靈敏度高，對於製作成元件同時兼具傳輸層與感測層的特殊性質，對於各種分子的吸附具有相當的優勢…
2
本研究主要分為三部份，首先以Cu(B)薄膜作為硼摻雜來源，透過快速升溫化學氣相沉積系統(Rapid thermal chemical vapor deposition system, RTCVD)來…
3
本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
4
本研究以石墨烯與二硫化錸為材料製作表面增強拉曼散射之基材(SERS)，本實驗以化學氣象沉積在銅箔上沉積石墨烯，並轉移至300nm之氧化矽基板，以石墨烯或氧化石墨烯為襯底並以化學氣象沉積生長二硫化錸（…
5
本研究透過化學氣相沉積法生成雙層石墨烯，並利用兩種改質方式修飾石墨烯，一種為紫外光臭氧處理，可以提高石墨烯表面含氧官能基，增加氨氣吸附能力及光電子轉移效果，另一種為濺鍍ITO奈米顆粒於表面，適當分布…
6
此研究主要為三部分，第一部分是透過化學氣相沉積方式且利用加熱帶加熱聚二甲基矽烷之前驅物生長出矽摻雜石墨烯，與純石墨烯作為比較，探討其性質。石墨烯以Raman光譜、UV-vis光譜以及XPS進行分析。…
7
本研究分為兩階段，第一階段以Cu(B)薄膜作為硼源，以化學氣相沉積法製備硼摻雜石墨烯，並以純石墨烯做為比較，探討其性質差異。由拉曼光譜、UV-vis光譜、XPS能譜分析其材料特性。於拉曼光譜可以觀察…
8
本研究分為兩部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物以化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯，並以石墨烯作為比較，探討其性質是否不同。我們以拉曼光譜、TEM、XPS、UV-Vis分析其材料特性，在拉曼光譜中的分…