檢索結果:共4筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="呂學坤" and ckeyword.raw="記憶體"
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近年來,超大型積體電路 (VLSI) 技術的快速發展使得電晶體的數量與記憶體細胞密度顯著增加,這個結果已經嚴重威脅到記憶體陣列的良率與可靠度,使得良率明顯下降。因此故障分散 (Fault Scram…
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錯誤修正碼與內建自我修復 (BISR) 技術被廣泛的用來改善記憶體良率與可靠度。而這兩個技術主要處理的錯誤與瑕疵分別為永久瑕疵 (硬錯誤) 與軟錯誤。在過去有許多研究探討如何使用錯誤修正碼與 BIS…
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近年來,錯誤修正碼 (ECC) 技術與內建自我修復 (BISR) 技術皆被廣泛地使用來提升記憶體的良率與可靠度。錯誤修正碼技術以及內建自我修復技術主要分別用來處理軟錯誤與硬錯誤。而在過去有許…
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隨著製程進步電晶體縮小,使得記憶體密度提高之外,也造成良率與可靠度的下降,提升良率與可靠度也是先進記憶體有待改善的共同課題。本篇論文針對兩種新興的記憶體组 NROM 及 PCM 提出良率與可靠度的改…