檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cdept.raw="機械工程系" and cdept.raw="機械工程系" and ckeyword.raw="銅鈍化層"
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本研究目的為探討二氧化矽顆粒於化學機械研磨/平坦化(CMP)製程中的加工機制。研究方法是將直徑為800奈米的二氧化矽顆粒黏著於探針尖端,形成顆粒式探針(tip-grit),與運用封閉式回饋控制系統原…
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化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是半導體製造中最關鍵的製程且廣泛應用。了解拋光墊與晶圓接觸的機械相互作用以及晶圓表面的化學變化對於CMP製程的材料…