研究生: |
涂相麟 Xiang-Lin Tu |
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論文名稱: |
脈衝雷射蒸鍍法製備釔鋇銅氧超導薄膜 Preparation of Y-Ba-Cu-O superconducting thin films by pulsed-laser evaporation |
指導教授: |
孫澄源
Shui-Yin Xiao |
口試委員: | none |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
電資學院 - 電子工程系 Department of Electronic and Computer Engineering |
論文出版年: | 2021 |
畢業學年度: | 80 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 106 |
中文關鍵詞: | 脈衝雷射蒸鍍法 、釔 、鋇 、銅 、氧 、超導薄膜 、高溫超導体 、臨界電流密度 、工程 、科技 、結構學 |
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高溫超導體於微電子方面的應用,需作成薄膜的形態,因為它具有異方性的結晶方向
而有較高的臨界電流密度。因此薄膜的制作,便成了高溫超導能否應用在電子元件上
的主要關鍵。而雷射蒸鍍法是一種能快速鍍膜、再現性良好且可由降低制程溫度而與
半導體工業相結合的方法,頗符合工業上大量生產的要求。
本文以脈衝式KrF 準分子雷射,在氧化鎂單晶片上制備釔鋇銅氧超導薄膜,希望藉著
改變鍍膜參數,獲得較佳的超導薄膜。薄膜制成後,利用四點量測法量測其電特性,
以X 光繞射了解其結晶方向性,並利用掃描式電子顯微鏡觀察其表面形態。
在氧分壓0.5mbar、 雷射能量約75mJ、基板溫度680℃ 時, 我們獲得表面光滑Tc=65K
之薄膜。而在雷射能量較高時(200mJ) 蒸鍍出來的薄膜多呈半導體相, 於通氧退火後
, 雖有增加超導相比例的趨勢, 但仍未出現TC 而使電阻降為零; 而由XRD 資料得知
: 較高的基板溫度確有助於薄膜C-軸方向的成長; 而利用此方法所制備的薄膜, 以SE
M 來觀察其表面組態, 成膜情形尚稱均勻平整。
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