本實驗採熱蒸鍍法依序蒸鍍金(Au)、金鈹合金(AuBe)及金的薄膜於玻璃(SiO2)及砷化鎵(GaAs)基材上，再利用傳統管狀爐進行熱處理，以研究金屬層的結晶結構。
Au(Be)/SiO2之試片於XRD及TEM的分析結果發現，在剛沉積及熱處理溫度為300至600℃時，其組成相皆為Au及Au3Be的雙相組織；故Au(Be)合金薄膜於SiO2基地上，其組成相不因熱處理的溫度的變化而有所改變。
Au(Be)/GaAs之試片於XRD及TEM分析的分析結果如下，在剛沉積之金屬薄膜層的組成相主要為Au及Au3Be；當合金化熱處理溫度上升到450至600℃時，目前觀察到金鈹合金層結構即轉變為Au及鈹砷化合物(BeAsx)的混合結構。Au(Be)/GaAs的試片經AES分析表面成分，於400℃以下處理之試片，其表面皆為金的組成，而熱處理溫度高於400℃之試片發現表面有些是鈹砷化合物的晶粒，因此可以判斷此鈹砷化合物於400至600℃是一種穩定的平衡相產物。

We have studied the metallization layer of Au/AuBe/Au on SiO2 and GaAs(100) substrates. The Au/AuBe/Au layers were deposited by a thermal evaporation method. After the deposition process, the samples were annealed in a traditional tube furnace for the alloying processes. After the alloying processes, we analyzed the crystal structures of the interfaces between the metals and substrates in the TEM and XRD studies.
The XRD analysis in the Au(Be)/ SiO2 indicated that the metal layers are a mixture structure of Au and Au3Be phases in the as-deposited and following annealing processes. Therefore, the phases in the gold layer were not changed in all the heating conditions.
The metallization layers on the GaAs wafers indicated that the metal layers are a mixture of Au and Au3Be phases in the as-deposited condition. For the annealing processes from 450℃ to 600℃, the metal layer are a mixture of Au and Be-As compound. Through the AES analysis, there are small grains of Be-As compound on the surface after 400℃alloy. Therefore, we could come to a conclusion that Be-As compound between 450℃to 600℃ is a stable equilibrium phase.

1. L. Hollan, J.P. Hallais and J.C. Brice, Vol. 5, North-Holland Publishing Company, (1980).
2. J. Kovac, L. Peternai and O. Lengyal, Thin Solid Films, 433, 22 (2003).
3. “iSuppli市場調查報告”，(2006)。
4. 莊達人，”VLSI製造技術”，高立圖書有限公司 (1994)。
5. A. Piotrowska, A. Guivarch and G. Pelous, 26, 179 (1983).
6. 瞿旻德，國立台灣科技大學，碩士論文 (2006)。
7. 林信力，國立台灣科技大學，碩士論文 (2004)。
8. 楊勝富，國立台灣科技大學，碩士論文 (2005)。
9. 劉冠良，國立台灣科技大學，碩士論文 (2006)。
10. A. Piotrowska, E. Kaminska, A. Barcz and J. Adamczewska, Thin Solid Films, Electronic and Optics, 130, 231 (1985).
11. B. Luo, G. Dang and P. Zhang, Journal of the Electrochemical Society, 148, 676 (2001).
12. T.B. Massalski, H. Okamoto, P.R. Subramanian and L. Kacprzak, ASM International, 343 (1990).
13. G.E Darwin and J.H. Buddery, Butterworths Scientific Publications, 227 (1960).
14. 張景學，“半導體製造技術”，文京出版 (1998)。
15. 李正中，“薄膜光學與鍍膜技術”，藝軒圖書出版社 (1999)。
16. H. Xiao, “Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology”, Prentice Hall (2001).
17. 汪建民，“材料分析”，中國材料科學學會 (1998)。
18. 吳泰伯，“X光繞射原理與材料結構分析”，中國材料科學學會 (1996)。
19. “真空技術與應用”，行政院國家科學委員會精密儀器發展中心(2001)。
20. 潘扶民，國科會儀器總覽1-4 (1998)。
21. D. Briggs and M.P. Seah, “Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy”, John Wiley & Sons (1994).
22. L.E. Davis, “Handbook of Auger Electron Spectroscopy” (1976).
23. 陳力俊，“材料電子顯微鏡學”，國科會精儀中心 (1997)。
24. D.B. Williams and C.B. Carter, “Transmission Electron Microscopy”, Plenum (1996).
25. D.A. Neamen, “Semiconductor Physics and Devices-Basic principle”, McGraw Hill (1992).
26. “Precision ion polishing system (PIPS)”, Gatan (2001).