先前台灣科技大學光電加工實驗室之顯微鏡式DMD(Digital Micromirror Device)無光罩微影系統（Maskless Photolithography System）之解析度僅能到達3.4μm，本研究擬採用利用使紫外光(Ultra-Violet Light)為其光源，利用紫外光源之短波長特性，期待能提升其解析度。
本系統，將DLP（Digital Light Processing）欲投影之pattern經由顯微鏡的目鏡及物鏡，來對光阻進行曝光微影製程，另一方面也利用目鏡來觀察成像清晰度，尋找焦點位置，以控制曝光品質；本研究研發以紫外光源代替DLP原來光源，藉由縮短光源波長來提升系統成像的解析度，另因紫外光源或可見光源均具有光源不均勻性之問題，故本研究也利用分段光罩曝光方法控制系統的曝光均勻度，以提升系統的解析度及成像品質。
本實驗製作最小線寬圖案及電極圖案以驗證紫外光DMD無光罩微影系統的成效，由實驗結果可證明使用紫外光源當作曝光光源可以有效提升系統解析度，由3.4μm(可見光光源)提升到2.4μm(紫外光光源)，並且配合分段光罩曝光法可以製作較複雜或稍大面積電極圖案。

The aim of this study is to improve the DMD (Digital Micromirror Device) Maskless Photolithography System, by using Ultra-Violet Light Source. In the system, the eyepiece of microscope was employed to observe the pattern from DLP（Digital Light Processing）project on the photoresist. Therefore, the focus of image and control of photolithography quality can be analysed. This sdudy uses Ultra-Violet Light source to replace the original visible light source in DLP. Since the wavelength of UV light is shorter, the system resolution can be improved. Because UV light or visible light source does not uniform, a step mask photolithography to control the uniformity of exposure.
This experiment manufactures the smallest line width pattern and electrode pattern, and confirms this resolution of system by the experiment result. It will be proved that system resolution promotes from 3.4μm (visible light source) to 2.4μm (ultraviolet light photo source),using step mask photolithography to be possible to manufacture complex or the slightly big area electrode design.

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