檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="CMOS 0.18 μm 1P6M製程" and ckeyword.raw="IPD整合CMOS製程"
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本研究之主旨,乃首次將超穎物質零階共振器自振式主動天線晶片化,以台積電CMOS 0.18 μm 1P6M製程實現主動天線之主動電路部分,並以矽基板整合被動元件製程實現天線本體,該設計將大幅縮…