檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="矽" and ckeyword.raw="鈷"
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本研究於超高真空系統中,用熱蒸鍍的方式,於矽(111)的單晶基板上成長鈷(Co)超薄膜,再進行熱退火,退火溫度由200 ℃增加到800 ℃,最後再利用掃描式穿隧顯微鏡(Scanning Tunnel…