檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="氧化銦" and ckeyword.raw="濕式蝕刻" and ckeyword.raw="濕式蝕刻"
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本論文主要探討如何藉由擴散阻隔層的加入適時阻擋低溫下鋁擴散進入非晶矽/單晶矽異質接合界面,以求得p型背電場形成之同時亦保有高異質接合鈍化效果之目的。我們選用兩種擴散阻隔層:第一種是以5奈米厚的氧化銦…