檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="共濺鍍" and ckeyword.raw="氧化鋯" and ckeyword.raw="電阻切換"
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本篇論文研究以Al作為上下電極,使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層,製備 電阻式記憶體元件,並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…