|
本頁全選
|
|
1
|
含碘化合物半導體之光學特性研究
-
光電工程研究所
/108/ 碩士
-
研究生：
李宗岳
指導教授：
何清華
、
李奎毅
-
-
點閱：574
下載：0
- 全文公開日期 2025/08/18 (校內網路)
- 全文公開日期 2025/08/18 (校外網路)
- 全文公開日期 2025/08/18 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
|
|
2
|
沉積二氧化鈦於奈米碳管表面之電化學電容分析
-
電子工程系
/106/ 碩士
-
研究生：
張維恩
指導教授：
李奎毅
-
本實驗以矽基板做為基底在上方成長奈米碳管束陣列，並以奈米碳管束陣列為模板披覆二氧化鈦做為電化學電容器的電極材料。奈米碳管有高導電性、高化學穩定性與高比表面積之特性，利用氣相沉積法成長奈米碳管束陣…
-
點閱：560
下載：3
|
|
3
|
氧摻雜二硫化鉬之製備及其同質接面二極體之研究
-
電子工程系
/105/ 碩士
-
研究生：
丁俊馨
指導教授：
李奎毅
-
本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬，透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析，結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…
-
點閱：562
下載：2
- 全文公開日期 2022/07/18 (校內網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
|
|
4
|
石墨烯與過渡金屬硫屬化物材料的特性和應用之研究
-
光電工程研究所
/105/ 博士
-
研究生：
蘇偉誌
指導教授：
李奎毅
-
本論文利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變來獲得p型半導體特性的石墨烯。實驗中，利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯，並利用氮電漿對石墨稀進行摻雜，以C-N的鍵結讓石墨烯的半導體特性由p型轉變…
-
點閱：831
下載：3
- 全文公開日期 2022/01/19 (校內網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
|
|
5
|
二階段化學氣相沉積法成長二硫化鉬與二硒化鎢之 異質接面
-
電子工程系
/105/ 碩士
-
研究生：
江易翰
指導教授：
李奎毅
、
林保宏
-
本論文使用兩種不同的二維材料之過渡金屬硫屬化合物MoS2與WSe2做異質接面的結合並進行探討其接面特性. 本論文以熱化學氣相沉積法方式, 利用固定比例的三氧化鎢與硒粉末, 三氧化鉬與硫粉末成長WSe…
-
點閱：728
下載：0
- 全文公開日期 2022/07/03 (校內網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
|
|
6
|
以氮摻雜多層石墨烯之同質接面二極體製備與應用
-
光電工程研究所
/105/ 碩士
-
研究生：
楊婉婷
指導教授：
李奎毅
、
林保宏
-
石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
-
點閱：466
下載：1
- 全文公開日期 2022/06/14 (校內網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
|
|
7
|
鉬鎢輕摻雜之二硫化鉬鎢晶體成長與特性研究
-
光電工程研究所
/103/ 碩士
-
研究生：
張家榮
指導教授：
黃鶯聲
、
李奎毅
-
本研究論文是以化學氣相傳導法利用碘 (I2) 為傳導劑成長鉬鎢輕摻雜之二硫化鉬鎢 (Mo1-xWxS2, 0 ≤ x ≤ 0.1; 0.9 ≤ x ≤ 1, Δx = 0.02) 系列層狀單晶半導體…
-
點閱：327
下載：2
- 全文公開日期 2020/08/26 (校內網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
|
|
8
|
成長二氧化銥於碳纖維基板上應用於電雙層電容電極之研究
-
電子工程系
/99/ 碩士
-
研究生：
蔡鎮鴻
指導教授：
李奎毅
-
電化學電容器因電子產業發展迅速, 能源需求增加, 愈顯得其重要性. 本實驗以碳纖維為基板, 在碳纖維上成長奈米碳管, 碳纖維上濺鍍二氧化銥及將二氧化銥濺鍍在碳纖維上之奈米碳管做為電化學電容器電極材料…
-
點閱：683
下載：6
- 全文公開日期 2016/06/14 (校內網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
|
|
9
|
石墨烯之成長並以石墨烯為電極基板應用於場電子發射元件之研究
-
電子工程系
/99/ 碩士
-
研究生：
李建璋
指導教授：
李奎毅
-
在本研究中, 我們以銅箔作為石墨烯之成長基板, 並將銅箔置於可移動式熱化學氣相沉積系統成長石墨烯, 其光穿透率可達85%. 接著, 將最佳化設計之奈米碳管束陣列以熱化學氣相沉積法成長於石墨烯上. 再…
-
點閱：674
下載：8
- 全文公開日期 2016/06/14 (校內網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
|
|
10
|
利用垂直成長奈米碳管陣列製作表面傳導電子發射射極之特性研究
-
電子工程系
/98/ 碩士
-
研究生：
李冠緯
指導教授：
李奎毅
-
傳統的表面傳導電子發射射極由具有奈米狹縫之氧化鈀薄膜所組成。施加電壓於氧化鈀薄膜而產生穿隧電子與散射電子。雖然奈米狹縫為表面傳導電子發射射極很重要的一環，但奈米狹縫不易製造，且加工複雜。所以為了簡化…
-
點閱：574
下載：5
- 全文公開日期 2015/06/25 (校內網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
- 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
|