檢索結果:共1筆資料 檢索策略: cdept.raw="化學工程系" and cdept.raw="化學工程系" and cdept.raw="化學工程系" and ckeyword.raw="電洞遷移率"
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本實驗是先分別於三種氣氛下以TMGa/Cp2Mg/NH3之MOCVD系統成長p型氮化鎵薄膜。首先,在全氮氣氣氛下成長時,發現成長壓力為75 torr時,可以成長出表面較為平坦的薄膜,但因薄膜電性仍未…