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研究生: 林宗憲
Tsung-Hsien Lin
論文名稱: 專利技術生命週期與專利指標的關聯性研究
Research on the correlation between patent technology life cycle and patent indicators
指導教授: 管中徽
Chung-huei Kuan
口試委員: 蘇威年
Wei-Nien Su
王俊傑
Chun-Chieh Wang
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 應用科技學院 - 專利研究所
Graduate Institute of Patent
論文出版年: 2022
畢業學年度: 110
語文別: 中文
論文頁數: 78
中文關鍵詞: 專利技術生命週期碳化矽專利指標S曲線
外文關鍵詞: Patent, Technology life cycle, SiC, Patent Index, S curve
相關次數: 點閱:336下載:6
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  • 一間企業所申請的專利可以忠實的表現出一間企業的技術發展,同樣的道理,觀察一個國家專利文獻的申請狀況也可以表現出一個國家的技術發展。若是重要國家,所有申請人都會想在該國申請專利,則該國家的專利文獻更可以表現出整體的技術發展。而在技術發展極其迅速的現今,如何運用有限的資源投資在合適的技術上,就是一個非常重要的課題。因此,若我們能夠掌握特定技術專利技術生命週期各項專利指標所顯現的特徵,則我們對於一個技術的整體發展能有更為清楚的認識。
    本研究專利技術生命週期與專利指標的關聯性研究除了利用S曲線分析出特定技術的技術生命週期四個階段,還利用各專利分析指標來與該技術的技術生命週期進行關聯性研究找出特徵。且本研究首先對已走完技術生命週期的技術進行觀察研究,從中得到一些結論後再對未走完技術生命週期的技術進行實證研究。
    通過本研究表明,碳化矽之單晶增長技術領域其利用Loglet工具繪製S曲線得到技術生命週期之後。再結合觀察CRT技術所呈現的特徵與放棄數量、轉讓數量、申請人、發明人數量、發明人共現分析、IPC數量以及IPC共現分析等專利指標的觀察所得到的結論。由於碳化矽之單晶增長技術領域目前還沒有觀察到成熟期末所出現的特徵,因此成熟期應可再持續一段時間,待成熟期末特徵出現時,例如關鍵專利分類消失、關鍵發明人減少等特徵,即可提早警覺到成熟期應快結束。


    The patents applied for by an enterprise can faithfully represent the technological development of an enterprise. In the same way, observing the application status of a country's patent documents can also show the technological development of a country. If it is an important country, all applicants will want to apply for patents in this country, and the patent documents of this country can show the technological development of human beings. In today's extremely rapid technological development, how to use limited resources to invest in suitable technologies is a very important issue. Therefore, if we can grasp or even predict the characteristics of each patent indicator in the patent life cycle of a specific technology, we can have a clearer understanding of the overall development of a technology.
    In addition to using the S curve to analyze the four stages of the technology life cycle of a specific technology, this study also uses various patent analysis indicators to conduct a correlation study with the technology life cycle of the technology to find out the characteristics. . And this research first observes and studies the technologies that have completed the technology life cycle, and then draws some conclusions from it, and then conducts empirical research on the technologies that have not completed the technology life cycle.
    Through this research, it is shown that in the field of single crystal growth technology of silicon carbide, it uses the Loglet tool to draw the S curve to obtain the technology life cycle. Combined with the observation of the characteristics of CRT technology and the observation of patent indicators such as the number of abandonment, the number of transfers, the number of applicants, the number of inventors, the co-occurrence analysis of inventors, the number of IPCs, and the analysis of IPC co-occurrence, the conclusions are obtained. As the single crystal growth technology field of silicon carbide has not yet observed the characteristics that appear at the end of the maturity period, the maturity period should continue for a period of time until the characteristics appear at the end of the maturity period, such as the disappearance of key patent classifications and the reduction of key inventors. You can be alerted in advance that the maturity period should end soon.

    目錄 指導教授推薦書 I 學位考試委員審定書 II 中文摘要 III ABSTRACT IV 誌謝 V 目錄 VI 圖表索引 VIII 第1章 緒論 1 第1.1節 研究背景與動機 1 第1.2節 文獻探討 5 第1.3節 研究方法 8 第1.4節 研究流程 9 第1.5節 研究範圍與架構 11 第2章 分析基礎理論 13 第2.1節 技術生命週期理論 13 第2.2節 技術生命週期的判斷指標 15 第2.2.1項 技術生命週期分析 15 第2.2.2項 專利狀態分析 17 第2.2.3項 申請人分析 17 第2.2.4項 發明人分析 17 第2.2.5項 國際專利分類分析 18 第2.2.6項 小結 18 第3章 觀察研究-已完成技術生命週期技術 20 第3.1節 陰極射線管螢幕技術 20 第3.1.1項 檢索策略 20 第3.1.2項 合作分類號的確定 21 第3.1.3項 建立核心檢索式 22 第3.2節 陰極射線管螢幕技術的各判斷指標分析 24 第3.2.1項 技術生命週期分析 24 第3.2.2項 專利狀態分析 28 第3.2.3項 申請人分析 32 第3.2.4項 發明人分析 34 第3.2.5項 國際專利分類分析 37 第3.2.6項 小結 42 第4章 實證研究-未完成技術生命週期技術發展預測 45 第4.1節 碳化矽技術 45 第4.1.1項 檢索策略 46 第4.1.2項 合作分類號的確定 47 第4.1.3項 建立核心檢索式 49 第4.2節 碳化矽晶體生長技術的各判斷指標分析 49 第4.2.1項 技術生命週期分析 50 第4.2.2項 專利狀態分析 53 第4.2.3項 申請人分析 57 第4.2.4項 發明人分析 59 第4.2.5項 國際專利分類分析 62 第4.2.6項 小結 65 第5章 結論與展望 68 第5.1節 結論 68 第5.2節 研究創新點 70 第5.3節 研究不足及未來展望 70 參考文獻 76 中文部份 76 英文部份 76

    中文部份
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    英文部份
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