在過去半導體產業主要以SOC技術發展方向，隨者現在電子產品講求多功能及輕薄的需求下，使SOC封裝技術在有限空間下不斷地萎縮製程，不但增加成本進而影響上市時間，因此半導體廠商另外發展3DIC TSV技術以縮短研發時間。
專利分析能提供研發人員瞭解技術研發趨勢以作為日後追蹤與預測技術的指標，因此本研究利用專利分析製出歷年專利件數圖、主要專利權人、技術分類等專利資訊，以得到3DIC TSV半導體廠商技術發展情況，此外本研究並以並蒐集相關市場預測文獻比較彼此關係提供未來投入廠商的參考方向。

In the past mainly in the semiconductor industry development direction SOC technology, With the emphasis on those who are now multi-functional electronic products and thin demand, the SOC packaging technology in a limited space under the constantly shrinking process, thereby affecting not only increase the cost of time to market, so the development of semiconductor manufacturers addition 3DIC TSV technology to shorten development time.
Patent analysis can provide R&D staff to understand future trends as an indicator tracking and forecasting techniques, this study analyzed the system out of the use of patents over the years the number of patents map, mainly the patentee, the patent classification information technology in order to obtain 3DIC TSV semiconductor Manufacturer technological developments, in addition to this study and collect comparative literature relevant market mutual relations predict future investment firm provides a reference direction.

摘 要I
ABSTRACTII
誌謝III
目錄IV
圖目錄VI
表目錄VII
第一章、前言1
1.1 研究背景與問題動機1
1.2 研究方法與預期結果2
1.3 研究範圍與限制2
第二章、SOC與3D IC演進4
2.1 SOC技術4
2.2 3DIC技術5
2.2.1先鑽孔(Via-First)6
2.2.1.1 CMOS前(Before CMOS)6
2.2.1.2 CMOS後(After CMOS)6
2.2.2 後鑽孔(Via-Last)7
2.2.3晶圓鍵合(Wafer Bonding)8
2.2.4對準(Alignment)9
2.2.4.1 直接對準(direct alignment)10
2.2.4.2 間接對準(indirect alignment)10
2.3 SOC與3D IC比較10
2.3.1製程差異11
第三章、3D IC TSV發展14
3.1 3DIC TSV市場發展14
3.1.1全球TSV技術應用發展14
3.1.1.1 記憶體堆疊封裝16
3.1.1.2 Wide I/O 記憶體與Wide I/O行動動態隨機存取記憶體17
3.1.1.3 Wide I/O 介面17
3.1.2 國內外3DIC產業發展19
3.2 小結23
第四章、專利分析意義與專利佈局策略關係24
4.1專利檢索策略24
4.2 專利分析與分析方法29
4.2.1 專利分析31
4.2.2 專利管理圖31
4.2.3 專利技術圖32
4.3 專利佈局34
第五章、3D IC製程專利佈局37
5.1 專利檢索策略37
5.1.1 關鍵字搜尋38
5.1.2 3DIC技術檢索步驟 40
5.2 歷年專利趨勢分析 43
5.2.1 歷年公告專利件數 43
5.2.2 國家別分析44
5.3 專利分類號分析45
5.3.1 IPC三階分類45
5.3.2 IPC四階分類47
5.3.3 UPC主類 48
5.3.4 UPC次類 50
5.4 專利權人分析 52
5.4.1 IBM56
5.4.2 TSMC 59
5.4.3 MonolithIC 3D 61
5.4.4 Intel 63
5.4.5 Micron Technology 65
5.4.6 United Microelectronics Corp 67
5.4.7 STATS ChipPAC 69
5.4.8專利權人歷年專利分佈 71
5.5 小結72
第六章、結論 73
參考文獻75
附錄 3DIC美國專利資料 77

一、中文部分:
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12.聯電與星科金朋共同發表矽穿孔3D IC技術，電工程專輯網站(2013年1月31日): http://www.eettaiwan.com/ART_8800681269_480202_NT_f175d039.HTM