檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "threading dislocation".ekeyword (精準)
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層(AlN BL),可以在少層石墨烯(FLG)/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長的低溫AlN…
2
none
3
本研究針對碳化矽磊晶層中普遍存在的貫穿差排缺陷對功率元件漏電流的影響進行探討,透過對兩種常見的功率元件-蕭特基二極體(SBD)與金氧半場效電晶體(MOSFET)做為測試對象,以數量級超過數十至百顆的…