檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "single-crystal silicon (Si) substrate".ekeyword (精準)
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本文利用比下壓能觀念,建立兩種最佳化之逐步逼近到預定之奈米流道梯形凹槽深度之目標收斂函數的最少切削道次之估算方法。第一種為三切削道次偏移循環加工方法,每一切削道次皆為固定下壓力進行加工,進而估算出達…
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本文創新提出假設不同軸向比下壓能的值約為相同之定值的概念,依據不同軸向的比下壓能理論模式,以及已知奈米級加工深度及刀具形狀,推導出估算奈米級加工單晶矽工件V型溝槽的下壓力及切削力的理論公式。本文先進…