檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "junctionless".ekeyword (精準)
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
此篇論文提出了以無接面金氧半場效電晶體觸發之功率橫向絕緣閘極雙極性電晶體。傳統的絕緣閘極雙極性電晶體中,藉由導通元件的PN二極體,進而有效的降低漂移區的串聯電阻,即為傳導調變效應。但這種功率元件…
2
本論文進行二氧化鋯鉿鐵電薄膜之特性研究,與應用於奈米帶無接面場效電晶體(Nanosheet Junctionless FETs, NS-JLFETs)元件之研究。本研究分為兩部分,第一部份以不同電漿…
3
近年來,由於電子產品以及電力交通工具的蓬勃發展,使得功率積體電路的應用越來越廣。絕緣閘極雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)同時具有高電流與高…
4
如同Intel共同創辦人Gordon Moore提出的摩爾定律所描述,積體電路上,可容納的電晶體數目,約每隔兩年便會增加一倍,而這樣成長速度的幕後推手,就是晶片微縮技術所造就的,但傳統金屬氧化物半導…