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  • 檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "gallium nitride (GaN)".ekeyword (精準)


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    1
    高效率邊界導通模式之升壓型功率因數修正器研製
    • 電機工程系 /111/ 碩士
    • 研究生： 黃裕誠   指導教授： 郭明哲
    • 本論文研製一高效率邊界導通模式之升壓型功率因數修正器，經由系統架構動作推導和設計電路元件，運用軟體SIMetrix/SIMPLIS建置邊界導通模式之功率因數修正器之模型，驗證系統設計參數之可行性，並…
    • 點閱：249  下載：10 
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

    2
    氣相合成一維氮化鎵奈米結構之研究
    • 化學工程系 /95/ 碩士
    • 研究生： 黃松建   指導教授： 洪儒生
    • 本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)為原料，分別使用鍍上金觸媒的Si(111)、Ge奈米線及ZnO奈米柱為基材來沈積氮化鎵。在鍍上1 nm厚度金觸媒於Si(11…
    • 點閱：298  下載：0 

    3
    以有機金屬化學氣相沉積技術合成氮化鎵結構之研究
    • 材料科學與工程系 /96/ 碩士
    • 研究生： 魏士軒   指導教授： 洪儒生
    • 本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)分別為其鎵源和氮源合成氮化鎵結構。在一維結構方面，使用鍍上金觸媒的Si(100)、藍寶石單晶及氮化鎵單晶為基材來沈積氮化鎵。…
    • 點閱：241  下載：4 

    4
    以二乙基一氯鎵為鎵源先驅物的氮化鎵原子層磊晶之研究
    • 化學工程系 /94/ 碩士
    • 研究生： 林繼宏   指導教授： 洪儒生
    • 本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料，並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材，…
    • 點閱：277  下載：0 

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    以有機金屬氣相磊晶法製備氮化鎵/氮化銦鎵發光二極體之研究-圖案化基材、緩衝層及反平行電域結構對元件特性的效應
    • 應用科技研究所 /100/ 博士
    • 研究生： 黃振斌   指導教授： 洪儒生
    • 本論文使用有機金屬氣相沈積法(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)製備氮化鎵/氮化銦鎵發光二極體，分別利用添加ZnO當作緩衝層、改變GaN在高…
    • 點閱：283  下載：7 
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