檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "carbon-doped GaN".ekeyword (精準)
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氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料,在高功率動作下,元件將被施加更高偏壓,因此,如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構,降…
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層(AlN BL),可以在少層石墨烯(FLG)/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長的低溫AlN…