檢索結果：共20筆資料 檢索策略： "Wen-chang Yeh".eadvisor (精準)
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源，經旋轉塗佈於polished單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。所製作pn二極體之ideal factor為1.52。以此方式製作太陽電池，雖不具抗反…
2
本論文以原創且簡易的方式實現矽膜晶粒定位技術，其中分別有針狀型矽島陣列輔助晶粒定位和微透鏡陣列輔助晶粒定位兩種技術。前者，藉由SiON半透光膜輔助，成功的抑制住矽島橫向長晶，只需持續提高吸收係數，矽…
3
本論文研究半透光膜輔助矽膜雷射長晶，在Si (90 nm)/SiO2 (100 nm)/SiONx (1200 nm)，α=15000 cm-1條件下，成功得到20 µm的矽晶粒，並利用…
4
本研究製作單晶矽太陽電池，以TMAH蝕刻單晶矽晶圓進行表面粗糙化，形成金字塔結構，接著以磷酸溶液做為n+擴散源，經塗佈於Textured單晶矽晶圓並以高溫退火成功形成pn接面，並搭配磁控濺鍍機進行反…
5
本論文成功使用低溫濺鍍磊晶法成長矽薄膜並且應用於太陽電池元件製作，磊晶矽薄膜的部份在製程溫度為220℃與直流電源功率為100 W的條件下可得到最佳的矽膜品質，其有效復合速率(Recombinatio…
6
本研究成功利用蔽蔭遮罩圖案化製程與固相結晶法於不鏽鋼基板上製作出多晶矽薄膜電晶體，所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為25和100 μm，載子移動率分別為1.4和0 cm2/V-s，Ion…
7
本論文以即時光學反射穿透率量測系統，測量了熱滯留層輔助準分子雷射退火矽膜結晶法過程中的融化時間。實驗結果顯示吸收係數12000cm-1時disc grain尺寸由傳統製程方式之1μm增加為8μm，原…
8
本研究成功以蔽蔭遮罩圖案化製程製作多晶矽薄膜電晶體和多晶矽反相器，所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為30和80 μm，載子移動率分別為12.19和6.5 cm2/V-s，ION/IOFF…
9
本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體，其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜，利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2，介面陷阱密度為6.4×…
10
本研究以Silvaco公司所開發的元件模擬軟體ATLAS模擬單晶矽太陽能池並觀察n+層(射極)及p+層的厚度及摻雜濃度對元件特性的影響，模擬結果顯示，n+層最佳厚度為0.3μm摻雜濃度為5×1018…