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由於極紫外光微影系統技術開發上仍有困難,無法立即取代現有生產線上ArF-193nm浸潤式微影系統微影製程生產,因此吸引許多研究者尋找改善方案,其中可利用光源光罩最佳化程序搜尋最佳的光罩圖案設計與對應…
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由於極紫外光微影系統技術尚未廣泛應用,目前生產線上仍大部分為ArF-193nm浸潤式微影系統,因此有許多研究者尋找此系統優化方法,其中可利用光源光罩最佳化程序搜尋最佳的光罩圖案設計與對應的最佳光源模…
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隨著現代積體電路的複雜度不斷增加與製程節點的演進,電路可製造性在現代微影(Lithography)製程中正遭遇許多困難。次級解析輔助特徵圖案(SRAF) 擺置與光學鄰近修正(OPC)等重要的解析度增…