檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "RF-PECVD".ekeyword (精準)
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以設計出非晶…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數反應壓力及三甲基硼(TMB)摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以探求非晶…
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本研究係在以較大面積(20×20 cm2)之射頻電漿輔助化學氣相沉積系統中，通入矽甲烷原料以不同製程條件於單晶矽表面沉積氫化非晶矽形成異質接合結構。研究重點在探究在此一沉積系統中氫化晶矽的鍍…
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本研究係用射頻電漿系統沉積氫化非晶矽薄膜，調變製程重要參數如氫氣稀釋比、基材溫度、工作壓力以及電極間距等，藉由傅立葉轉換紅外光光譜儀(FT-IR)以及紫外光/可見光光譜儀(UV-VIS)等分析方法，…
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本論文係以射頻電漿輔助化學氣相沉積法，來探討單晶矽異質接合的最佳化程序，包含將本質層非晶矽沉積於n型單晶矽基材，以及沉積p型與n型非晶矽摻雜層。所使用的摻雜源為毒性稀釋之三甲基硼及三丁基磷。 本實驗…
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本研究以三甲基硼(TMB)為摻雜物，使用射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)於玻璃基材上成長p型非晶碳化矽以及p型微晶矽薄膜，並分析其結構及光電性質，期望能製備出適用於薄膜太陽能電池的p…