檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "Photovoltage".ekeyword (精準)
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本次論文研究主要是以使用Ti[OCH(CH3)2]4當前驅物，於垂直冷壁式有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統中成長垂直成長二氧化鈦(Titanium dioxide，TiO2)奈米晶體。首先藉由…
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體，並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測，藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
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我們利用表面光電壓光譜(SPS)、光激螢光激發光譜(PL)及螢光激發光譜(PLE)三種量測方式來探討由固態源分子束磊晶(SSMBE)所組成的砷化銦/砷化鎵量子點結構中有無覆蓋砷化銦鎵層的光學特性。利…
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本論文分別利用光激發螢光光譜(PL)、反射光譜(R)以及表面光電壓光譜(SPS)等量測技巧，藉由改變溫度及入射光角度對不對稱共振腔(Asymmetric Microcavity)、共振腔發光二極體 …
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本論文主要探討利用化學氣相傳導法成長層狀半導體MoS2摻雜不同過渡性金屬MoS2:X (X=Re,Nb,Fe,Co,Ni) 之相關特性。 在日本National Institute of A…
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本文透過暫態光電壓(Transient phtovoltage簡稱TPV )及暫態光電流(Transient phtocurrent簡稱TPC)量測技術以探討鈣鈦礦太陽能電池的載子動力學。首先第一部…
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中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
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本論文利用光子調制、非接觸式電場調制、光子穿透、表面光電壓光譜、波長調制表面光電壓光譜及光激發光譜研究含Sb及N化合物GaAsSbN及InGaPN薄膜、GaAsSb/GaAs、InGaAs(Sb)/…