檢索結果：共83筆資料 檢索策略： "Lu-Sheng Hong".eadvisor (精準)
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本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…
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本論文使用兩個連續程序，在配備即場式X射線光電子能譜儀（XPS）和反射式高能電子衍射儀（RHEED）的超高真空化學氣相沉積（UHV-CVD）系統中，進行矽晶片（Si(111)）的表面碳化和 SiC …
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以設計出非晶…
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In this work, hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) films deposited through very high fr…
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本篇論文對矽鍺晶片之多重接面太陽能電池之探討，使用鈀奈米粒子做接合層，以進行退火壓合，使兩晶片完成接合。我們利用團聯式共聚物，均勻塗佈於晶片表面，並令其吸附含鈀溶液，成長鈀奈米粒子，再經氫器/氬氣電…
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本研究係在以較大面積(20×20 cm2)之射頻電漿輔助化學氣相沉積系統中，通入矽甲烷原料以不同製程條件於單晶矽表面沉積氫化非晶矽形成異質接合結構。研究重點在探究在此一沉積系統中氫化晶矽的鍍…
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本論文分為兩個部分，第一部分目的在探討使用共濺鍍氣相沉積法製備碳化矽薄膜。不同於高溫(1600℃)化學氣相沉積法製備碳化矽薄膜，本研究之重點在於利用矽合金靶材和碳靶在相對低溫的下以不同射頻電漿製程參…
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本論文主要探討黑晶片的蝕刻條件來達到低反射率，同時探討清洗方式對黑晶片的影響來達到低反射率且高載子生命週期的黑晶片。以我們蝕刻液的配方，我們發現在p-type FZ晶片上成長黑晶片結構時，反射率不會…
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本研究目的在於利用化學氣相沉積以低溫製程下分別在玻璃、藍寶石、n型氮化鎵磊晶板以及p型氮化鎵磊晶板成長低電阻率且具有光學散射特性之粗糙表面摻鎵氧化鋅薄膜，以期望取代氧化銦錫作為藍光發光二極體之透明導…
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本論文主要探討如何藉由擴散阻隔層的加入適時阻擋低溫下鋁擴散進入非晶矽/單晶矽異質接合界面，以求得p型背電場形成之同時亦保有高異質接合鈍化效果之目的。我們選用兩種擴散阻隔層:第一種是以5奈米厚的氧化銦…