檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "InGaN".ekeyword (精準)
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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關鍵字；氮化銦鎵、奈米線、有機金屬化學氣相沉積 本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物－二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)，同時以分解溫度較低之鎵源－三乙基鎵(TEGa)…
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圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate, PSS)具有降低氮化鎵磊晶薄膜貫穿型差排缺陷密度之效用，然而無圖案區域差排缺陷密度仍高。本研究在圖案化藍寶石基板上嵌入石…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖案化藍寶石基板的晶圓，以表面結構化處理的技術研製p-i-n光偵測器，我們製作兩種不同材料的表面結構處理，分別為：(1)ITO表面粗糙化；以及(…
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本研究中，利用電漿輔助式分子束磊晶系統在矽基板上成長氮化鎵奈米柱及氮化銦鎵薄膜結構，並將其運用在光電化學產氫的研究上。首先在氮化鎵奈米柱部份，成長不同長度的奈米柱(長度大約在120~720nm、直徑…
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本研究以有機金屬化學氣相沉積法於矽基板上成長出一維的單晶氮化銦鎵奈米線陣列。由愛克斯光繞射儀(XRD)分析可以得知所成長的氮化銦鎵奈米線為纖鋅礦結構。而由穿透式電子顯微鏡(TEM)的結果顯示奈米線呈…
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本研究中，我們在n-GaN/Sapphire基材上以自組裝的有機金屬化學氣相沈積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）系統成長氮化鎵(GaN…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料，並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材，…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…