檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Electroabsorption".ekeyword (精準)
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為實現於下世代四百千億位元率(400G)位元率乙太網路協定網路標準介面,需要波長為1310 nm之高速雷射光源,本論文以含鋁的四元材料做為主動層材料,製作積體化分佈反饋式雷射與電致吸收調變器。積體化…
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本篇論文是以高頻操作之雷射積體化電致吸收調變器元件為研究主題,其雷射區與電致吸收調變器主動區材料皆為磷砷化銦鎵(InGaAsP)量子井,利用量子井混合技術將電致吸收調變器區域的材料作藍位移。雷射發光…
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利用量子井混合技術結合雷射與電致吸收調變器,使其能運用在高速傳輸系統為本論文主要的研究方向。主動層材料選用為磷砷化銦鎵(InGaAsP)為主的量子井結構,經過摻植輔助內部擴散來改變量子井主動層的能隙…
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本論文主要之研究為利用雙量子結構分別設計與製作電致吸收調變器結合半導體雷射及反射式電致吸收調變器結合半導體光放大器之光積體化元件,使其分別能運用在光纖通訊系統中的頭端及用戶端。主動層材料利用兩組具壓…