檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "Da-Wei Ren".ecommittee (精準)
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本論文設計及製作具均勻光柵及部分光柵之分佈反饋式高速直調雷射，以AlInGaAs作為主動層材料，比較不同雷射腔長之均勻及部份光柵的特性，當雷射元件之主動層體積較小時，應有較大之鬆弛震盪頻率，然而受限…
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為實現於下世代四百千億位元率(400G)位元率乙太網路協定網路標準介面，需要波長為1310 nm之高速雷射光源，本論文以含鋁的四元材料做為主動層材料，製作積體化分佈反饋式雷射與電致吸收調變器。積體化…
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本論文設計以及製作不同中心波長之具電致吸收調變布拉格反射鏡之可調雷射，以InGaAsP作為主動層材料，並將光致發光(Photoluminescence, PL)波長設計在1577 nm的位置，透過對…
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Future data center optical networks desired a high-speed laser to meet IEEE 802.3bs standard, which…
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為實現能乘載高位元率的雷射光源，本論文以相同的含鋁四元材料作為分佈反饋式雷射與電致吸收調變器的主動層材料，積體化製作具有相同量子井之電致吸收調變雷射光源。積體化有體積較小且傳輸損耗較少等優點。 本…
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本論文主要設計與製作分佈反饋式雷射，使能達到高頻操作的目標。為了使傳輸模組更簡單與成本降低，高速直調半導體雷射對於短中距離高速傳輸系統是非常重要的，其優點在於可以運用多通道的系統模組達到高速傳輸，並…