檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "DFB Laser".ekeyword (精準)
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為實現於下世代四百千億位元率(400G)位元率乙太網路協定網路標準介面，需要波長為1310 nm之高速雷射光源，本論文以含鋁的四元材料做為主動層材料，製作積體化分佈反饋式雷射與電致吸收調變器。積體化…
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為應用於NG-PON2技術下，本論文欲分析比較多段式DFB雷射之特性，其方法是製作不同比例的波長位移層以改變DFB雷射的縱向折射率，造成布拉格波長偏移，達到穩定的單模輸出特性。本論文提出含波長位移層…
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本論文探討將三五族雷射與矽光子積體電路進行複合積體化的兩項關鍵技術：一為研究晶片黏合，另一則為使用晶圓代工廠製作雷射的特性與可行性分析。晶片黏合是利用二乙烯基矽氧烷-雙苯並環丁烯 (DVS-B…
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由於自駕車技術需要精密的感測器去感測周遭環境，光學相位陣列(Optical phase array)光達有高穩定度與體積較小等優點。為能藉由調動波長掃描光學相位陣列出光角度，研究室曾委外製造出一批由…
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本論文利用串聯式分佈反饋雷射為基礎設計多波長雷射陣列，以應用於光學感測系統。藉由合作廠商代工完成具不同布拉格波長之雷射陣列，以涵蓋較寬的波長範圍。藉由使用不同的雷射端面鍍膜與調控不同的注入電流探討雷…
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氮化鎵材料生長在藍寶石基板難以劈裂，本論文研究以非劈裂式方法製作邊射型雷射共振腔反射面，用黃光微影與乾式蝕刻定義出共振腔的區域，並以奈米壓印微影技術取代電子束微影技術製作氮化鎵分佈回饋式雷射的光柵結…
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本論文主要之研究為利用量子井混合效應來設計製作雷射與電 吸收調變器共平面結構之積體化元件，使其能運用在高速的光通訊系 統中。主動層材料為磷砷化銦鎵（InGaAsP）的材料。發光波段主要 設計在155…
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本論文主要之研究為雙量子井結構的積體化技術，所積體化之元件為分佈反饋式(DFB) 雷射與電致吸收調變器(EAM)，由於將此兩元件進行積體化的優點在於兩者均為光通訊系統中具備重要功能的特性元件，如進行…
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為實現能乘載高位元率的雷射光源，本論文以相同的含鋁四元材料作為分佈反饋式雷射與電致吸收調變器的主動層材料，積體化製作具有相同量子井之電致吸收調變雷射光源。積體化有體積較小且傳輸損耗較少等優點。 本…
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為了實現穩定且擁有大範圍波長調動能力的可調雷射，以將其作為光源應用於光學感測系統，本論文利用串聯式光柵結構的概念設計出兩端皆具抗反射鍍膜之串聯式分布反饋雷射陣列。元件製作方面，我們藉由合作廠商代工完…