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本論文以實驗室自行壓製陶金靶材,採用RF反應式濺鍍法及利用氮氣混入濺鍍氣體進行製備n型的CuSnSO薄膜與p型的CuSnSNO薄膜,並探討靶材中不同SnS含量比例、沉積溫度及氮元素的摻雜對於薄膜品質…
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成,利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中,探討靶材中不同Ag含量比例,不同硫化物與…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材,採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜,以N取代O的位置,期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中,觀察在不同氧氣…