檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "高電子遷移率電晶體".ckeyword (精準)
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近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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隨著功率元件的需求提高，氮化鎵成為被廣泛應用的材料，因為和傳統的矽材料相比，而且氮化鎵有寬能隙、高崩潰電壓、熱穩定性佳、高峰電子速率等優點。氮化鎵和氮化鋁鎵接觸所形成的異質接面時，導致壓電極化…
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現今電力電子元件多由矽作為主要的材料，在過去半世紀的研究中發現，矽材料已經逐漸達到物理限制瓶頸，替代矽之新材料也逐漸被發現，包含兩種或更多元素所構成之化合物，這種具有高潛力的半導體稱為「化合物半導體…
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氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMTs)在高功率操作下，傳統金屬電極與元件結構層間之電致遷移現象變得更為嚴重，電致遷移現象除了使電晶體源極與汲極之歐姆接觸電阻上升；也導致閘極產生漏電路徑，使電…
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氮化鎵高電子遷移率電晶體在近幾年中逐漸發展成熟，除了穩定性提高外，更有適用於不同需求的規格可供選擇，在許多方面都比現有的矽功率開關還要有更佳的特性，得以使電路操作在更高的頻率上。 因此本文將氮化鎵電…
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本研究主要包含兩個主題，第一部份為天線整合K頻帶低雜訊放大器，K頻段在24-24.25 GHz是不需執照的，也因此成為汽車雷達的主流頻帶。在主動部分吾人提出兩種版本之低雜訊放大器，一個將放大器的輸入…