檢索結果：共17筆資料 檢索策略： "量子井".ckeyword (精準)
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本篇論文中，我們主要以光激螢光光譜(photoluminescence, PL)、表面光電壓光譜(surface photovoltage spectroscopy, SPV)、無接點電電場調製反射…
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本論文主要研究以氣態源分子束磊晶法成長之量子點與量子井複合結構之光學性質。吾人藉由光子調制反射光譜、光激發螢光光譜與表面光電壓光譜量測技術來探討其光學性質。光子調制反射光譜可以讓吾人分析砷化鎵之FK…
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本論文主要利用無接點式電場調制反射(CER)光譜來研究分子束磊晶所成長多重量子井和非對稱耦合量子井結構。 從CER光譜中能在很廣泛的範圍顯現出這些結構可能的光學躍遷訊號；然後藉由一階導數的勞倫茲…
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本論文利用壓電調制反射光譜(PzR)、光子調制反射光譜(PR)以及光激發螢光光譜(PL)研究鍺磊晶層(Ge-epilayer)及其多重量子井(MQW)結構之光學特性。 利用壓電調制反射光譜與光子調制…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖案化藍寶石基板的晶圓，以表面結構化處理的技術研製p-i-n光偵測器，我們製作兩種不同材料的表面結構處理，分別為：(1)ITO表面粗糙化；以及(…
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本論文主要利用表面光電壓(SPV)與光激發螢光(PL)光譜來研究在溫度變化下，加入不同In含量之高應力InxGa1-xAs/GaAs量子井結構的光學特性，其中In成分為x = 0.395 ~ 0.4…
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本論文之研究重點在於設計製作應用於低密度分波多工系統的多波長雷射陣列技術，研究的方向在於寬增益頻譜材料與新型取樣光柵分佈布拉格反射式雷射之研發。 在寬增益頻譜的材料技術上，藉由量子井混合與區域選擇性…
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由於銻砷化鎵/砷化鎵(GaAs1-xSbx/GaAs)量子井的特殊能帶排列，使其可達到長波長的發光，因此可應用於1.3 μm的光纖傳輸光源上，然而對於銻砷化鎵/砷化鎵量子井結構能帶排列為第一型(ty…
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本論文主要之研究為雙量子井結構的積體化技術，所積體化之元件為分佈反饋式(DFB) 雷射與電致吸收調變器(EAM)，由於將此兩元件進行積體化的優點在於兩者均為光通訊系統中具備重要功能的特性元件，如進行…
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本論文主要利用雙量子井結構將各光學主被動元件積體化，所積體化之元件包含分佈反饋式雷射（DFB）及電致吸收調變器（EAM）的結合，並利用多模干涉耦合器將波長分別為1.58 μm及1.6 μm之雙雷…