檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "邱逸仁".ccommittee (精準)
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在此篇論文中，利用擴散限制蝕刻技術，來蝕刻出垂直漸變式波導。我們以變化各種不同的間隙寬度以及遮罩寬度，可以得到不同的蝕刻速率，因此最後固定間隙寬度在20 μm，變化其遮罩寬度，可以得到線性，且最大相…
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本論文的目的在於提供一個新的方法達到半導體光放大器對極化不敏感，以往就材料上而言，多是利用舒張形變量子井提高TM模態的增益達到補償，本文將反其道而行利用壓縮形變量子井以及量子井混和的方式達到兩段式補…
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利用量子井混合技術結合雷射與電致吸收調變器，使其能運用在高速傳輸系統為本論文主要的研究方向。主動層材料選用為磷砷化銦鎵(InGaAsP)為主的量子井結構，經過摻植輔助內部擴散來改變量子井主動層的能隙…
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本論文主要之研究為利用量子井混合效應來設計製作雷射與電 吸收調變器共平面結構之積體化元件，使其能運用在高速的光通訊系 統中。主動層材料為磷砷化銦鎵（InGaAsP）的材料。發光波段主要 設計在155…
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發光二極體PN接面產生之高熱，將使面臨亮度降低、壽命減短且放射光往長波長位移等嚴重問題，因此本論文提出直線奈米碳管封裝基板之設計與應用，可改善發光二極體散熱問題。利用氫氧化鉀濕蝕刻的方式，在矽（10…
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本論文主要之研究為利用雙量子結構分別設計與製作電致吸收調變器結合半導體雷射及反射式電致吸收調變器結合半導體光放大器之光積體化元件，使其分別能運用在光纖通訊系統中的頭端及用戶端。主動層材料利用兩組具壓…
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本篇論文是以高頻操作之雷射積體化電致吸收調變器元件為研究主題，其雷射區與電致吸收調變器主動區材料皆為磷砷化銦鎵（InGaAsP）量子井，利用量子井混合技術將電致吸收調變器區域的材料作藍位移。雷射發光…
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In this thesis, vertical InGaAsP/InP taper FP-LD was successfully realized using diffusion-limited …
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覆晶封裝技術為藍光發光二極體之主流技術，本論文以藍寶石基板之氮化鎵材料為主，開發覆晶式發光二極體製程技術為目的，可大幅提升氮化鎵發光二極體輸出功率與效率。 覆晶發光二極體必須達到低電阻與高反…