檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "螢光光譜".ckeyword (精準)
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本論文主要以硒化照射程序所影響的缺陷分佈和本質缺陷的相互作用作為探討的議題，針對導入硒化照射程序的特性，開發其照射程序對於缺陷抑制的機制及效果。論文中以螢光光譜解析觀察缺陷抑制的變化，並探討缺陷對於…
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本論文是以光激螢光光譜 (PL)，針對由15K至300K的溫度變化範圍中所得之結果來探討烏采結構 (Wurtzite) 的硒化鋅鈹鎘(Cd1-x-yBexZnySe) 四元化合物晶體之光學特性,並以…
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我們利用表面光電壓光譜(SPS)、光激螢光激發光譜(PL)及螢光激發光譜(PLE)三種量測方式來探討由固態源分子束磊晶(SSMBE)所組成的砷化銦/砷化鎵量子點結構中有無覆蓋砷化銦鎵層的光學特性。利…
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本論文分別利用光激發螢光光譜(PL)、反射光譜(R)以及表面光電壓光譜(SPS)等量測技巧，藉由改變溫度及入射光角度對不對稱共振腔(Asymmetric Microcavity)、共振腔發光二極體 …
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萘(naphthalene)是多共軛的芳香環化合物，具有良好的光電性質，常被應用於製備OLED分子材料、高分子材料。John D. Tovar在2010年發表的文獻中針對苯、萘及蒽芳香環結構為核…
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體，並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測，藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
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本次論文研究主要是以使用Ti[OCH(CH3)2]4當前驅物，於垂直冷壁式有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統中成長垂直成長二氧化鈦(Titanium dioxide，TiO2)奈米晶體。首先藉由…
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本論文利用光子調制反射光譜(PR)、壓電調制反射光譜(PzR)和光激螢光光譜(PL)來研究以氣態分子束磊晶法成長在GaAs基板上不同Sb成份之GaAs1-xSbx薄膜及其退火光學特性。由PzR、PR…
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本論文主要對於金屬氧化物半導體薄膜奈米結構中alpha相單斜結構三氧化二鉍(alpha-Bi2O3)、立方結構三氧化二銦(c-In2O3)以及岩鹽結構(rock-salt)氧化鎳(NiO)加以研究以…
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本論文成功利用熱燈絲化學氣相沉積法 (Hot Filament Chemical Vapor Deposition) ，成長氧化鎳奈米結構並研究在不同基板下成長各氧化鎳的奈米結構薄膜及進行其結構與光…