檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "準分子雷射退火".ckeyword (精準)
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成功的利用濺鍍法，配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式，製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上，所製作的TFT On/Off電流比為103，Mobility為10 cm2/V-S， Threshold vo…
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本論文以原創且簡易的方式實現矽膜晶粒定位技術，其中分別有針狀型矽島陣列輔助晶粒定位和微透鏡陣列輔助晶粒定位兩種技術。前者，藉由SiON半透光膜輔助，成功的抑制住矽島橫向長晶，只需持續提高吸收係數，矽…
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為了實現塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功地利用反應式濺鍍的方式來沉積對351nm波長具備0~56000cm-1吸收係數之SixNy半透光膜，並配合熱滯留輔助結晶技術，在塑膠基板上開發出超低溫多晶矽…
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為了達成塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功開發出利用半吸光層經過準分子雷射回火後，可以實現低溫閘極絕緣膜的改質效果。而此絕緣膜是由100℃具吸收係數的SiONx與SiO2組成。 我們利用吸收係數40…
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本研究運用準分子雷射退火矽膜再結晶特性之線上光學雙檢測雷射系統即時檢測出非晶矽薄膜於準分子雷射退火期間反射率與穿透率之變異性，進而分析相關物理現象和量測矽膜融化時間；此外本研究亦改變矽膜厚度和基板預…
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本論文建構一套能夠即時量測薄膜於準分子雷射照射期間之反射率與穿透率變化之原位(in-situ)線上光學檢測系統(Time-Resolved Optical Reflectivity and Tran…
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我們已經成功利用熱滯留層輔助結晶技術，經由準分子雷射退火後，可以實現全部充滿橫向成長寬度14um長的矽島。然後我們結合全部橫向長晶的矽島和雙閘極的架構去製造高性能的薄膜電晶體。 另外我們成功地開發了…
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體，其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜，利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2，介面陷阱密度為6.4×…