檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "氧化銦鎵鋅".ckeyword (精準)
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在顯示科技方面上，金屬氧化物半導體因擁有較高的均勻度利於大面積製程、可低溫製程、較低的製程費用等優點，因此被視為現今最具潛力的薄膜電晶體材料。場效載子遷移率扮演影響薄膜電晶體電特性好壞一很重要的腳色…
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金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構，以防止TFT-LCD的背光源照射到通道層材料進而影響其電特性。另外在此下閘極結構中，因為要考慮到光罩間對位的誤差，而將其汲極和源極設計成與閘極各有…
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金屬氧化物半導體薄膜電晶體（Oxide-TFT）由於其高載子遷移率、高可見光透明性、大面積均勻性、低溫製成及低漏電流…等，於近年來常被應用於大尺寸面板甚至是攜帶型產品中作為驅動或是補償電路的元件使用…
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一般而言，薄膜電晶體使用黃光微影製程來進行圖案化以防止柵極漏電流，但是該方法不適合用於溶液製程的薄膜電晶體。我們開發了一種簡單快速的方法，透過旋轉塗佈自組裝單分子來製造具有低柵極漏電流的薄膜電晶體。…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中，並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材，經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜，期望藉由…
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本研究以簡單與低成本的製程技術製備高效能的氫氣感測元件，內文將分為三個部分。第一部分探討氧化銦鎵鋅與超奈米鑽石之氫氣感測及物性分析，接著再探討氧化銦鎵鋅與超奈米鑽石(IGZO/N-UNCD)複合結構…
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本論文分為二部分，第一部分探討不同成長時間的摻氮的超奈米鑽石(N-UNCD)和氧化鋅及氧化銦鎵鋅複合奈米柱/管之氫氣感測器，並進行物性及電性之分析；第二部分探討不同成長時間的摻氬的超奈米鑽石(Ar-…
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由於金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程特質及材料特性，使它們在新興的薄膜電晶體應用上成為最具有競爭性的選擇，包含均勻性好可以應用在大尺寸的面板、低溫製程而應用於可撓式的結構以及低成本製作等特殊需求的產品…