檢索結果：共89筆資料 檢索策略： "快閃記憶體".ckeyword (精準)
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在近代，快閃記憶體儲存裝置(Flash Memory)的容量發展的非常地快速，並且伴隨著消費性電子產品和嵌入式系統的流行，使得快閃記憶體的技術迅速發展。為了適當地管理產品的損耗及初始化的效能，製造商…
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隨著非揮發式儲存記憶體的發展，NAND flash memory被廣泛的應用，由於它的小體積、耐震性、高效能與低功耗。但也因為一些NAND flash memory的特性限制與傳統硬碟上的差異。所以…
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當快閃記憶體容量日漸增加的同時，如何有效率的管理整個快閃記憶體儲存系統變成一個重要的議題。而主要的挑戰在於，如何在效率與成本(指管理整個快閃記憶體系統所需要的內部記憶體的多寡)之間取得一個平衡。雖然…
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隨著科技的發展，對於儲存系統上，NAND Flash Memory具有體積小、非揮發性、高抗震性、低功耗及快速儲存等優點，成為目前手機、行動電子裝置及攜帶型個人電腦的主要儲存設備。Flash Mem…
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由於低耗電,非揮發性,高效能,穩定及高可攜性等特性,NAND 型快閃記憶體已成為各種嵌入式系統與消費性電子產品的主要儲存媒介之一.NAND 型快閃記憶體又可區分為單級單元型 (Single-Leve…
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近年來，快閃記憶體的容量成長快速，固態硬碟在市場上變成非常流行。固態硬碟內部使用的NAND 型快閃記憶體，需要一個中介層稱為快閃記憶體轉換層，來隱藏快閃記憶體本身的特性，並且對快閃記憶體進行管理，因…
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NAND 型快閃記憶體儲存系統中，需要一個中介層稱為快閃記憶體轉換層(FTL)，此轉換層主要被用來隱藏快閃記憶體本身的特性並且對快閃記憶體提供有效率的管理。目前快閃記憶體轉換層被歸類成頁面映像方法、…
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加，氧化層變薄。 因此，存儲在電池中的電荷變得更容易丟失，這將導致Vth發生負向偏移。 同時，由於FN隧道…
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自我修復NAND型快閃記憶體是近年被提出的新硬體技術，相對於傳統NAND型快閃記憶體經過多次讀寫而造成的寫穿狀態，自我修復NAND型快閃記憶體可以透過高溫使電子離開隧道氧化物讓電晶體可以重新儲存電子…
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快閃記憶體(NAND Flash)擁有體積小、功耗低、抗震、存取速度快等優勢，但快閃記憶體仍會面臨資料的「異地更新」、「垃圾收集」和「不平衡的執行時間」等硬體上的限制。一般而言，在有限的DRAM空間…