檢索結果：共37筆資料 檢索策略： "吳季珍".ccommittee (精準)
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本論文研究主要是應用高溫爐法，以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源，於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上，則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度，來改變提供鎵源的量，同時由不同的反應氣體流量與…
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本論文研究主要在於利用水平式高溫爐化學氣相沉積法成長氮化鎵及其相關的一維奈米線材料。在氮化鎵奈米線的成長上，主要使用乙醯丙酮鎵(III)(Gallium(III) acetylacetonate)與…
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本研究是以水熱法以醋酸鋅與六甲基四胺為反應物，溫度為90oC下，成長高順向性氧化鋅奈米柱於氧化銦錫透明導電玻璃基板上。在型態上，以掃描式電子顯微鏡進行分析；在光學性質上，使用紫外光/可見光吸收光譜儀…
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本研究使用一步法旋塗有機-無機混合鹵素鈣鈦礦前驅溶液製備鈣鈦礦太陽能電池，並使用高電子遷移率、化學穩定性佳、穿透度高、可低溫製備的氧化錫作為電子傳輸層。在此氧化錫電子傳輸層的結構設計上，利用溶膠-凝…
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本研究先將電洞注入層替換成氧化鎳對進行其表面形貌、光學性質及發光二極體光電特性分析。由以上分析結果證實鈣鈦礦薄膜需要進一步的優化。因此在後續進行兩種不同的方法進行鈣鈦礦的優化製程，第一種是透過旋塗過…
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本研究使用預先合成粉末法製備甲脒鉛碘鈣鈦礦粉末，對比文獻中常見的前驅物溶液法容易因化學劑量造成大量缺陷、低質量且再現性差之問題。預合成粉末法則能提拱精確的化學劑量比例，進而製備出高質量、高再現性之鈣…
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在本研究中所探討的四元化合物半導體材料-硫硒化銅錫的能帶間隙因相似於硫(硒)化銅鋅錫，且其導帶之位置高於水的還原電位，因此適合做為以光進行水分解產生氫氣的電極材料。此外，受到量子侷限效應的影響，一維…
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硒硫化銅鋅錫奈米晶體為 p 型直接能隙半導體，具有低成本、毒性較低、吸收係數高(>104 cm-1)等特性。由於其能隙值約為1.0~1.7 eV，因此適合應用於薄膜太陽能電池吸收層。在本研究以醋酸銅…
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本研究是利用水熱法於氟元素摻雜氧化錫透明導電玻璃上成長單晶且具垂直形態之金紅石相二氧化鈦奈米柱。同時藉由改變實驗條件進行奈米柱長度、直徑和密度的控制。此外，更發現用以水熱法進行成長時可在添加晶種…
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本研究主要是進行太陽能電池之光陽極結構的探討。在結構上，主要是以不同比例的二氧化鈦奈米柱與奈米粒子混合構成。在奈米柱的製備上則是以水熱法進行，並經過700oC退火處理2小時後，得到銳鈦礦相之二氧化鈦…