檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "μc-Si:H".ekeyword (精準)
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本研究使用超高頻電漿化學氣相沉積系統來製備微晶矽薄膜,同時利用放射光譜儀來觀測電漿中成分的變化,並將放射光譜儀的量測結果和薄膜的結構特性做比較。並藉由調整電漿功率、反應總壓、上下電極間距、氫氣稀釋比…
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本研究係以超高頻電漿輔助化學氣相沉積系統(VHF-PECVD)製備本質氫化非晶矽膜層用於鈍化單晶矽基材,研究重點之一為與射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備氫化非晶矽膜層來作比較外,…