檢索結果:共7筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="馬赫詹德方向耦合器"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
絕緣層上覆矽(Silicon-on-insulator, SOI)是近年來廣泛應用在高速且低功耗電子元件,因為其具有高折射率係數且可大幅縮小元件體積,同時製作方式與互補式金屬氧化物半導體(Compl…
2
光學同調斷層掃描(Optical coherence tomography, OCT),是一種非侵入式及時成像的一種技術,OCT透過麥克森干涉儀技術,利用參考端的反射光與樣品端的背向散射光進行干涉獲…
3
矽線波導馬赫詹德延遲干涉儀(Delayed Mach-Zehnder Interferometer, DMZI),不僅可運用於色散(Chromatic Dispersion, CD)與光訊雜比(Op…
4
矽線波導馬赫詹德延遲干涉儀(Delayed Mach-Zehnder Interferometer, DMZI),不僅可運用於色散(Chromatic Dispersion, CD)與光訊雜比(Op…
5
絕緣層上覆矽波導的高折射率差,具有高效率與高品質的特性而且成本低,加上其相容於金屬氧化物半導體標準製程,故常廣泛應用於高速、低功率消耗的光電元件。另外,矽與埋藏氧化層之間的高折射率差,使得元件能縮至…
6
絕緣層上覆矽(Silicon-on-insulator, SOI)近年來廣泛運用在低損耗且高速的光電元件上,因為其核芯層與包覆層間之高折射率差使得元件線寬縮小至次微米等級,可大幅縮小元件體積、增加元…
7
當前對於波長不敏感的元件需求日益增大,無論是在光纖通訊,或是醫學光學感測上,本論文設計與製作出在SOI平台上具有160-nm頻寬的串接式馬赫詹德方向耦合器(Cascaded Mach-Zehnder…