檢索結果:共3筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="表面復合速率"
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本研究以Silvaco公司所開發的元件模擬軟體ATLAS模擬單晶矽太陽能池並觀察n+層(射極)及p+層的厚度及摻雜濃度對元件特性的影響,模擬結果顯示,n+層最佳厚度為0.3μm摻雜濃度為5×1018…
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在矽晶太陽電池中晶片表面鈍化及抗光反射為重要的關鍵技術。本研究以原子層沉積法沉積氧化鋁薄膜於矽晶片表面上作為鈍化之使用。首先以電漿輔助原子層沉積系統及熱原子層沉積系統製備氧化鋁薄膜,研究重點為探討氧…
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異質接合太陽電池的高開路電壓特性取決於是否有良好的鈍化層,本論文研究以射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備本質氫化非晶氧化矽薄膜用於鈍化n型單晶矽基材,研究重點為探討本質氫化非晶氧化…