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    Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之晶體成長與特性研究
    • 應用科技研究所 /108/ 碩士
    • 研究生: 林書安 指導教授: 何清華
    • 本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體,並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測,藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
    • 點閱:452下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/19 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/08/19 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/08/19 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    硫化鍺之晶體成長及特性研究
    • 應用科技研究所 /105/ 碩士
    • 研究生: 李嘉軒 指導教授: 何清華
    • 中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
    • 點閱:643下載:2

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    溫度變化下高應力砷化銦鎵/砷化鎵量子井結構的光學特性
    • 電子工程系 /95/ 碩士
    • 研究生: 李佳學 指導教授: 黃鶯聲
    • 本論文主要利用表面光電壓(SPV)與光激發螢光(PL)光譜來研究在溫度變化下,加入不同In含量之高應力InxGa1-xAs/GaAs量子井結構的光學特性,其中In成分為x = 0.395 ~ 0.4…
    • 點閱:175下載:1
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