檢索結果:共3筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="表面光電壓"
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體,並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測,藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
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中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
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本論文主要利用表面光電壓(SPV)與光激發螢光(PL)光譜來研究在溫度變化下,加入不同In含量之高應力InxGa1-xAs/GaAs量子井結構的光學特性,其中In成分為x = 0.395 ~ 0.4…