檢索結果:共4筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="磊晶"
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本論文以直流磁控式濺鍍法實現矽/鍺膜同/異質磊晶,成功地在矽基板上達成矽膜和鍺膜的同異質磊晶成長,以及在鍺基板上之鍺膜同質磊晶。最後並以濺鍍磊晶成長矽膜於矽基板上之方式形成n+-p接面二極體元件。論…
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本論文的主題分為四部分: (1)以SiH4、C2H2和H2為反應物的低壓化學氣相沉積系統探討Si(111)上碳化緩衝層表面的石墨化及其對成長3C-SiC(111)磊晶膜的影響之研究; (2)以SiH…
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術,其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份,本研究以Raman、RHEED系統量測…
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料,表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響,本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓,在表面以微分干涉影像與光致發…